Interfaz entre silicio y sílice. El polvo de silicio de alta pureza tiene buenas propiedades interfaciales. En comparación con la interfaz de otros materiales semiconductores correspondiente a la capa de óxido, la interfaz entre el silicio y el dióxido de silicio es perfecta. Con el desarrollo de la tecnología, los defectos de la interfaz se controlan cada vez mejor. Por ejemplo, el efecto de los defectos ha sido bajo después de la modificación de la sala limpia. Al mismo tiempo, al inyectar impurezas, el dióxido de silicio se puede utilizar como capa protectora, bloqueando eficazmente el fósforo, el boro y otras impurezas. En segundo lugar, el polvo de silicio de alta pureza es un material aislante muy estable, mientras que el dióxido de germanio no sólo es inestable a altas temperaturas, sino también soluble en agua, mientras que el dióxido de silicio no presenta ningún problema de ese tipo; la gran brecha de energía del dióxido de silicio hará que su corriente de fuga sea menor (por supuesto, si la capa de óxido es demasiado delgada, la corriente de fuga aumentará).
En comparación con el germanio, el polvo de silicio de alta pureza tiene una brecha energética mayor, por lo que puede soportar temperaturas de funcionamiento más altas y una mayor variedad de impurezas. El voltaje de ruptura del material de silicio también será mayor. Los dispositivos semiconductores solían estar hechos de germanio, que es una tecnología madura con una respuesta de conmutación más rápida. Pero las cosas cuestan demasiado dinero. Al final se eligió el silicio como material semiconductor. Por supuesto, esto está relacionado con muchas propiedades excelentes del propio silicio, como grandes reservas y un rendimiento estable. Otra ventaja es que el dióxido de silicio es un aislante natural y puede utilizarse directamente como capa intermedia después del tratamiento térmico.
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