El método más simple para producir carburo de silicio implica derretir arena de sílice y carbono, como el carbón, a altas temperaturas, hasta 2.500 grados centígrados. Las versiones más oscuras y más comunes del carburo de silicio a menudo contienen impurezas de hierro y carbono, pero los cristales SIC puros son incoloros y se forman cuando el carburo de silicio se subliman a 2.700 grados centígrados. Después del calentamiento, estos cristales se depositan en grafito a una temperatura más baja en un proceso conocido como el método Lely.
Método Lely: En este proceso, un crisol de granito se calienta a una temperatura muy alta, generalmente por inducción, para sublimar el polvo de carburo de silicio. La varilla de grafito de temperatura más baja está en una mezcla gaseosa, lo que permite que el carburo de silicio puro precipite y forme cristales.
Deposición de vapor químico: Alternativamente, los fabricantes cultivan SIC cúbica utilizando deposición de vapor químico, que se usa comúnmente en procesos de síntesis basados en carbono y se usa en la industria de semiconductores. En este método, se introduce una mezcla química especial de gases en un entorno de vacío y se combina antes de ser depositada en un sustrato.
Ambos métodos para producir obleas de carburo de silicio requieren grandes cantidades de energía, equipo y conocimiento para tener éxito.
